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BZW06-213B中文资料

厂家型号

BZW06-213B

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123.4Kbytes

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3

功能描述

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 213V 600W 5% Uni

数据手册

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生产厂商

Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited

简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

LOGO

BZW06-213B数据手册规格书PDF详情

BREAKDOWN VOLTAGE: 5.8 --- 376 V

PEAK PULSE POWER: 600 W

FEATURES

◇ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

◇ Glass passivated junction

◇ 600W peak pulse power capability with a 10/1000µs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01

◇ Excellent clamping capability

◇ Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to V(BR) for uni-directional and 5.0ns for bi-directional types

◇ Devices with V(BR) ≥10V ID are typically ID less than 1.0 µA

◇ High temperature soldering guaranteed:265 ℃ / 10 seconds, 0.375(9.5mm) lead length, 5Ibs. (2.3kg) tension

BZW06-213B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BZW06-213B

  • 功能描述

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 213V 600W 5% Uni

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 极性

    Bidirectional

  • 击穿电压

    58.9 V

  • 钳位电压

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流

    38.8 A

  • 封装/箱体

    DO-214AB

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 最大工作温度

    + 150 C

更新时间:2025-5-16 16:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 常州银河世纪微电子股份有限公司

中文资料: 9824条

常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,具备IDM模式下的一体化经营能力。产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、碳化硅、光电器件、模拟IC等,可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购需求。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域。