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位置：首页 > IC中文资料第3150页 > BZT55B30

BZT55B30价格

参考价格：￥0.1725

型号：BZT55B30-GS18 品牌：VISHAY 备注：这里有BZT55B30多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BZT55B30批发/采购报价，BZT55B30行情走势销售排行榜，BZT55B30报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BZT55B30

0.5WattsHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators

Features ◇Zenervoltagerange2.0to75volts ◇Mini-MELFpackage ◇Surfacedevicetypemounting ◇Hermeticallysealedglass ◇CompressionBondedConstruction ◇Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandterminalsarereadilysolderable ◇RoHScompliant ◇MatteTin(Sn)leadfinish

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
BZT55B30

SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES

Features •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Availablewithtightertolerances •Veryhighstability •Lownoise Applications •Voltagestabilization

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

SEMTECH_ELEC
BZT55B30

SmallSignalZenerDiodes

FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •Voltagestabilization

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZT55B30

500mW,2ToleranceSMDZenerDiode

FEATURES -Widezenervoltagerangeselection:2.4Vto75V -VZToleranceSelectionof±2 -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeandRoHScompliant -Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
BZT55B30

ZenerDiodes

■Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
BZT55B30

SmallSignalZenerDiodes

FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC APPLICATIONS •Voltagestabilization

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZT55B30

500mW,2ToleranceSMDZenerDiode

文件：187.88 Kbytes Page：6 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
BZT55B30

SmallSignalZenerDiodes

文件：119.78 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZT55B30 L1G

封装/外壳：DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B30-GS08

封装/外壳：SOD-80 变式 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 30V 500MW SOD80 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZM55B30

SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes

Features ●Savingspace ●Hermeticsealedparts ●FitsontoSOD323/SOT23footprints ●ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55B.../TZMB... ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances ●

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZM55B30

Zenerdiode

Features 1.Savingspace 2.FitsontoSOD323/SOT23footprints 3.MicroMelfpackage Applications Voltagestabilization

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
BZM55B30

SmallSignalZenerDiodes

Features •Savingspace •Hermeticsealedparts •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55..Series/TZM..Series •FitsontoSOD-323/SOD-110footprints •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •Availablewithtightertoleranc

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZM55B30

SmallSignalZenerDiodes

Features •Savingspace •Hermeticsealedparts •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBZT55..Series/TZM..Series •FitsontoSOD-323/SOD-110footprints •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •Availablewithtightertoleranc

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BZM55B30

SmallSignalZenerDiodes

文件：173.9 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

BZT55B30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BZT55B30

  • 功能描述

    稳压二极管 30 Volt 500mW 2%

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 齐纳电压

    12 V

  • 电压容差

    5 %

  • 电压温度系数

    0.075 %/K

  • 功率耗散

    3 W

  • 最大反向漏泄电流

    3 uA

  • 最大齐纳阻抗

    7 Ohms

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-214AC

  • 封装

    Reel

BZT55B30供应商更多...

更新时间：2024-5-29 13:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
北京天阳诚业科贸有限公司
BZT55B33
ST(先科)
23+
NA
910
稳压二极管
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现代芯城（深圳）科技有限公司
BZT55B33L0G
23+
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深圳市汇莱威科技有限公司
BZT55B30L1
TSC/台湾半导体
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艾睿国际（香港）有限公司
BZT55B30-GS18
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BZT55B30L1稳压(齐纳)二极管
TSC/台湾半导体
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50000
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深圳市永贝尔科技有限公司
BZT55-B30
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BZT55B30L1
TSC/台湾半导体
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深圳廊盛科技有限公司
BZT55B30L1稳压(齐纳)二极管
TSC/台湾半导体
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深圳市振芯物联科技有限公司
BZT55B30-GS18
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深圳市惊羽科技有限公司
BZT55B30L1G
TSC-台半
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