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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SurfacemountSiliconPlanarZenerDiodesSilizium-Planar-Zener-DiodenfurdieOberflahenmontage Features SharpZenervoltagebreakdown Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS(exemp.7a) REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Voltagestabilizationandregulators (Forovervoltageprotection seeTVSdiodesSMFseries) Commercial/industrialgrade Su | DiotecDIOTEC 德欧泰克 |  |   | |
500mW,5ToleranceSMDZenerDiode FEATURES -Widezenervoltagerangeselection:2.4Vto75V -SurfaceMountDeviceType -Moisturesensitivitylevel1 -PbfreeandRoHScompliant -Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondatecode -VZToleranceSelectionof±5 -MatteTin(Sn)leadfin | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 |  | | |
SmallSignalZenerDiodes Features •Siliconplanarpowerzenerdiodes •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOT-23casewithtypedesignationBZX84series,thedualzenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthe | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  | | |
SurfacemountSiliconPlanarZenerDiodes 文件：96.69 Kbytes Page：2 Pages | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | | | |
0.5W68VZenerdiode 文件：496.332 Kbytes Page：3 Pages |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
YANGJIE(扬杰) |
23+ |
SOD123 |
50000 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
15250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
Nexper |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
NA |
19+ |
67100 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOD123 |
9000 |
进口原装现货支持实单欢迎来电 |
|||
TSC-台半 |
24+25+/26+27+ |
SOD-123 |
236148 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
MDD |
23+ |
NA |
1816 |
稳压二极管 |
|||
ANBON |
10 |
||||||
TaiwanSemiconductor |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
|||
YANGJIE |
24+ |
SOD-123 |
50000 |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
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2021-6-21BZT52C7V5
BZT52C7V5，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-11BZT52C6V8S
BZT52C6V8S，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-24BZT52C5V6SW9全新原装现货
可立即发货
2019-9-20BZT52C5V1S
BZT52C5V1S
2019-8-26BZT52C4V7S
BZT52C4V7S
2019-8-8
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