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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BYM200B170DN2 | IGBT-Modules 文件：149.7 Kbytes Page：5 Pages | eupec |   | |
BYM200B170DN2 | IGBT-Modules | Infineon 英飞凌 | |
BYM200B170DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BYM200B170DN2
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2026-1-4 10:14:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOD-64 |
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