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BUZ80FI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω ■ AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ LOW GATE CHARGE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ■ HIGH CURRENT, HIGH SPE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUZ80FI

Easy driver for cost effective application

DESCRIPTION • High speed switching • Low RDS(ON) • Easy driver for cost effective application APPLICATIONS • Automotive power actuator drivers • Motor controls • DC-DC converters

ISC

无锡固电

BUZ80FI

Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT220

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-25 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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