位置:首页 > IC中文资料 > BUZ50B

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUZ50B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive

ISC

无锡固电

BUZ50B

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

• N channel • Enhancement mode

SIEMENS

西门子

BUZ50B

Enhancement mode

文件:102.48 Kbytes Page:4 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

更新时间:2026-7-24 16:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
15+
TO220
13887
全新 发货1-2天
STI
25+
8000
原装现货,特价销售
INFINEON
23+
TO-220
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
TO-220
7000
INFINEO
23+
TO-220
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
SIEMENS/西门子
2450+
TO-220
6885
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
Infineon/英飞凌
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
INFINEON/英飞凌
25+
TO220
90000
全新原装现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
25+
6850
本公司 只做全新原装正品

BUZ50B数据表相关新闻