型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUZ50B

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

• N channel • Enhancement mode

SIEMENS

西门子

BUZ50B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive

ISC

无锡固电

BUZ50B

Enhancement mode

文件:102.48 Kbytes Page:4 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BUZ50B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUZ50B

  • 制造商

    Siemens

更新时间:2025-12-25 9:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS
23+
TO-220
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
INFINEON/英飞凌
24+
TO220
60000
INFINEON
23+
TO-220
7000
INFINEO
23+
TO-220
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
SIEMENS
24+
TO-3
1800
原装现货假一罚十
STI
24+
8000
原装现货,特价销售
BROADCOM
24+
BGA
12866
公司现货库存,支持实单
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
13818
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TI
23+
QFP
12000
全新原装假一赔十
INF
25+
TO-220
69
原装正品,假一罚十!

BUZ50B数据表相关新闻