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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUZ11AL | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.055Ω(Max) @ VGS= 5.0V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive | ISC 无锡固电 |   | |
BUZ11AL | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level | SIEMENS 西门子 | | |
BUZ11AL | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) | INFINEON 英飞凌 | |
BUZ11AL产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUZ11AL
- 制造商
Siemens
- 功能描述
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
TO-220 |
20000 |
原装，请咨询 |
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ST |
26+ |
TO-220 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST |
25+ |
TO-220 |
20000 |
原装 |
BUZ11AL规格书下载地址
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