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BUX18	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=200V(Min)-BUX18 =325V(Min)-BUX18A =375V(Min)-BUX18B =425V(Min)-BUX18C •HighSwitchingSpeed •HighPowerDissipation APPLICATIONS •De	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BUX18	Bipolar NPN Device 文件：11.28 Kbytes Page：1 Pages	SEME-LAB Seme LAB
BUX18A	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=200V(Min)-BUX18 =325V(Min)-BUX18A =375V(Min)-BUX18B =425V(Min)-BUX18C •HighSwitchingSpeed •HighPowerDissipation APPLICATIONS •De	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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更新时间：2024-4-29 13:31:00

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2019-12-17
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2019-12-12
BV03CTVS热卖产品质量保证
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2019-8-29