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位置：首页 > IC中文资料第2483页 > BUV20

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUV20

50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS

SWITCHMODESeriesNPNSiliconPowerTransistor ...designedforhighspeed,highcurrent,highpowerapplications. •HighDCcurrentgain: hFEmin=20atIC=25A hFEmin=10atIC=50A •LowVCE(sat): VCE(sat)max.=0.6VatIC=25A VCE(sat)max.=1

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
BUV20

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUV20issiliconMultiepitaxialPlanarNPNtransistormountedinjedecTO-3metalcase.Itisintendedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■NPNTRANSISTOR ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■FAST

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BUV20

SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

SWITCHMODE™SeriesNPNSiliconPowerTransistor ...designedforhighspeed,highcurrent,highpowerapplications. •HighDCcurrentgain: hFEmin=20atIC=25A =10atIC=50A •LowVCE(sat): VCE(sat)max.=0.6VatIC=25A =0.

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV20

NPN MULTI - EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

FEATURES •HIGHCURRENT •FASTSWITCHING •HIGHRELIABILITY APPLICATIONS •IndustrialEquipment

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BUV20

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.6V(Max.)@IC=25A •HighDCCurrentGain- :hFE=20(Min.)@IC=25A •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforhighspeed,highcurrent,highpowerapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BUV20

SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

FEATURES •HIGHCURRENT •FASTSWITCHING •HIGHRELIABILITY APPLICATIONS •IndustrialEquipment

TTELECTT Electronics.

TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC
BUV20

NPN MULTI - EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

文件：18.81 Kbytes Page：2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
BUV20

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

文件：62.85 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV20

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 125V 50A TO3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
BUV20D

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

文件：62.85 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

BUV20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV20

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Current

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BUV20供应商更多...

更新时间：2024-6-17 22:51:00
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