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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUV10

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Current Capability APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed,high power applications.

ISC

无锡固电

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:10.96 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Trans GP BJT NPN 125V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BUV10产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    125V

  • Maximum DC Collector Current:

    25A

  • Maximum Power Dissipation:

    175000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    10(Typ)MHz

  • Type:

    NPN

更新时间:2026-8-2 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3
10000
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-3
81247
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ST
23+
TO-3
7300
专注配单,只做原装进口现货

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