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BUR51晶体管资料
BUR51别名：BUR51三极管、BUR51晶体管、BUR51晶体三极管
BUR51生产厂家：德国电子元件股份公司
BUR51制作材料：Si-NPN
BUR51性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
BUR51封装形式：直插封装
BUR51极限工作电压：300V
BUR51最大电流允许值：60A
BUR51最大工作频率：<1MHZ或未知
BUR51引脚数：2
BUR51最大耗散功率：350W
BUR51放大倍数：
BUR51图片代号：E-44
BUR51vtest：300
BUR51htest：999900
- BUR51atest：60
BUR51wtest：350
BUR51代换 BUR51用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUR51 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
BUR51 | 封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 200V 60A TO3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
BUR51 | Bipolar Junction Transistors | TTELEC | | |
BUR51 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages | SEME-LAB | | |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.2 Kbytes Page：1 Pages | SEME-LAB | |
BUR51产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUR51
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN High Current
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
stm |
25+ |
66880 |
原装正品，欢迎询价 |
||||
STM |
23+ |
140 |
|||||
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
||||
SEMELAB |
23+ |
TO-3 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ST(意法) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
ST |
24+ |
TO-3 |
200 |
原装现货假一罚十 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
TO-204AA TO-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
BUR51规格书下载地址
BUR51参数引脚图相关
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- ca1458
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2019-11-2
DdatasheetPDF页码索引
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