BUR51晶体管资料

  • BUR51别名:BUR51三极管、BUR51晶体管、BUR51晶体三极管

  • BUR51生产厂家:德国电子元件股份公司

  • BUR51制作材料:Si-NPN

  • BUR51性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • BUR51封装形式:直插封装

  • BUR51极限工作电压:300V

  • BUR51最大电流允许值:60A

  • BUR51最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BUR51引脚数:2

  • BUR51最大耗散功率:350W

  • BUR51放大倍数

  • BUR51图片代号:E-44

  • BUR51vtest:300

  • BUR51htest:999900

  • BUR51atest:60

  • BUR51wtest:350

  • BUR51代换 BUR51用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUR51

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUR51

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.53 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

BUR51

封装/外壳:TO-204AA,TO-3 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN 200V 60A TO3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUR51

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.2 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

BUR51产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUR51

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Current

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-31 16:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STM
23+
140
NS
24+
TO-3
6000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
24+
TO-3
10000
全新
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
TO-3
500
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
ST/ON
23+
TO-3
7300
专注配单,只做原装进口现货
ST(意法)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
SEMELAB
2447
TO-3
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
MOTOROLA/摩托罗拉
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
STMicroelectronics
25+
TO-204AA TO-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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