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BULD118晶体管资料

  • BULD118-D1别名：BULD118-D1三极管、BULD118-D1晶体管、BULD118-D1晶体三极管

  • BULD118-D1生产厂家：

  • BULD118-D1制作材料：Si-N+Di

  • BULD118-D1性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • BULD118-D1封装形式：直插封装

  • BULD118-D1极限工作电压：700V

  • BULD118-D1最大电流允许值：2A

  • BULD118-D1最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BULD118-D1引脚数：3

  • BULD118-D1最大耗散功率：20W

  • BULD118-D1放大倍数：

  • BULD118-D1图片代号：A-80

  • BULD118-D1vtest：700

  • BULD118-D1htest：999900

  • BULD118-D1atest：2

  • BULD118-D1wtest：20

  • BULD118-D1代换 BULD118-D1用什么型号代替：

BULD118价格

参考价格：￥1.5785

型号：BULD118D-1 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有BULD118多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BULD118批发/采购报价，BULD118行情走势销售排行榜，BULD118报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BULD118

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULD118D

高压快速切换NPN功率晶体管

The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. \n\n It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. \n\n The device is designed fo • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE \n• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS \n• HIGH VOLTAGE CAPABILITY \n• VERY HIGH SWITCHING SPEED \n• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULD118D-1

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULD118D-1

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：261.649 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULD118D-1

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 2A TO251 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULD118D-1_01

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：261.649 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BYV118

Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a conventional leaded plastic package and a surface mounting plastic package. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The BYV118 series is supplied in the SOT78 co

PHILIPS

飞利浦

BYV118F

Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a plastic envelope with electrically isolated mounting tab. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The BYV118F series is supplied in the SOT186 package. The BY

PHILIPS

飞利浦

BYV118X

Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a plastic envelope with electrically isolated mounting tab. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The BYV118F series is supplied in the SOT186 package. The BY

PHILIPS

飞利浦

LM118

Operational Amplifiers

文件：597.13 Kbytes Page：18 Pages

NSC

国半

LM118H

Operational Amplifiers

文件：597.13 Kbytes Page：18 Pages

NSC

国半

BULD118产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    IPAK

  • Grade：

    Industrial

  • Transistor Polarity：

    NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)：

    400

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)：

    400

  • Collector-Base Voltage_max(V)：

    700

  • Collector Current_max(A)：

    2

  • Dc Current Gain_min：

    8

  • Test Condition for hFE (IC)：

    2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：

    5

  • VCE(sat)_max(V)：

    1.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC：

    2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：

    400

BULD118供应商更多...

更新时间：2026-8-1 13:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司
BULD118D-1
ST/意法半导体
26+
TO-251-3
10000
十年沉淀唯有原装
询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
BULD118D-1
ST
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
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深圳市科恒伟业电子有限公司
BULD118DB
ST/意法
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TO-251
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
BULD118D-1
ST/意法半导体
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TO-251-3
8860
只做原装,质量保证
询价
深圳市中赛美电子科技有限公司
BULD118D-1
ST/意法半导体
25+
TO-251-3
12700
买原装认准中赛美
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深圳市斌能达电子科技有限公司
BULD118D-1
ST/意法半导体
24+
TO-251-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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ST
2025+
TO-251
3557
全新原厂原装产品、公司现货销售
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深圳市纳艾斯科技有限公司
BULD118D-1
ST
24+
TO-251
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
BULD118D-1
ST/意法
23+
TO-251
15000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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深圳市勤思达科技有限公司
BULD118D-1
ST
12+
TO-251
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
询价

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