BULB49DT4价格

参考价格:¥2.4085

型号:BULB49DT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有BULB49DT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BULB49DT4批发/采购报价,BULB49DT4行情走势销售排行榜,BULB49DT4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BULB49DT4

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULB49DT4

High voltage fast-switching NPN power transistor

Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULB49DT4

High voltage fast-switching NPN power transistors

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULB49DT4

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 450V 5A D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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意法半导体

BULB49DT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BULB49DT4

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST/意法半导体
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D2PAK-3
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ST/意法半导体
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D2PAK-3
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原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
ST/意法半导体
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原装现货,实单价优
ST/意法半导体
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只有原装 可配单
ST/意法半导体
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原装正品现货支持实单
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
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只做原装,质量保证
ST
24+
D2PAK
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ST/意法半导体
24+
D2PAK-3
10000
十年沉淀唯有原装
ST/意法半导体
23+
D2PAK-3
12700
买原装认准中赛美

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