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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in automotive and gen | Philips 飞利浦 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switchi | ISC 无锡固电 | |||
TrenchMOS transistor Standard level FET 文件:63.9 Kbytes Page:8 Pages | Philips 飞利浦 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
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TO220-3 |
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