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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUL642D2G | High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network The BUL642D2 is a state−of−the−art High Speed High Gain Bipolar Transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (150 ns on storage time) make it ideally suitable for Light Ballast Application. A new development process brings avalanche energy capability, making the | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
BUL642D2G | 封装/外壳：TO-220-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 440V 3A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector?묮mitter and Built?뭝n Efficient Antisaturation Network The BUL642D2 is a state−of−the−art High Speed High Gain Bipolar Transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (150 ns on storage time) make it ideally suitable for Light Ballast Application. A new development process brings avalanche energy capability, making the | ONSEMI 安森美半导体 | |
BUL642D2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUL642D2G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 825V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-TO-220 |
35400 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
24+ |
TO220ABNONISOL |
8866 |
||||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装现货 实单价优 |
|||
23+ |
2013+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ST |
00+ |
TO220 |
5 |
进口原装公司现货 |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
BUL642D2G规格书下载地址
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- c188
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2019-11-17
DdatasheetPDF页码索引
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