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BUL63B

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

BUL63B

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BUL63B

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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SEME-LAB

BUL63B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL63B

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更新时间:2026-5-16 9:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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