型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUL63B

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

BUL63B

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BUL63B

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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SEME-LAB

BUL63B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL63B

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-12-26 8:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
26+
TO220
60000
只有原装 可配单
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
10000
十年沉淀唯有原装
ST/意法半导体
23+
TO-220-3
12700
买原装认准中赛美
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
16900
原装现货,实单价优
ST/意法半导体
25
TO-220-3
6000
原装正品
ON
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
16900
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
ST/意法半导体
22+
TO-220-3
20000
原装 品质保证
ST/意法半导体
21+
TO-220-3
8860
原装现货,实单价优
ON/安森美
23+
TO-TO-220
35400
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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