型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUL63B

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

BUL63B

Bipolar Junction Transistors

TTELEC

BUL63B

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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SEME-LAB

BUL63B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL63B

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-11-2 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
16960
原装正品现货支持实单
ON
24+
TO220ATLAS
6000
ST
00+
TO220
5
进口原装公司现货
ST/意法半导体
2020+
TO-220-3
7600
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友
ON/安森美
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
10000
十年沉淀唯有原装
ST
2511
TO220
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ST/意法半导体
24+
TO-220-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
ST
25+
TO220
16900
原装,请咨询
ON/安森美
23+
TO-TO-220
35400
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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