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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUL58A | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES • Multi–base for efficient energy distribution across the chip resulting in significantly improved switching and energy ratings across full temperature range. • Ion implant and high accuracy masking for tight control of characteristics from batch to batch. • Triple Guard Rings for impr | SEME-LAB |   | |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 160V IC = 10A | SEME-LAB | | ||
Bipolar Junction Transistors | TTELEC | |
BUL58A产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUL58A
- 制造商
SEME-LAB
- 制造商全称
Seme LAB
- 功能描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220 |
20000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO220 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
3200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
ST |
24+ |
TO220ABNONISOL |
8866 |
||||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3554 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
ST |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
BUL58A规格书下载地址
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2019-11-17
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