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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BUL58A | ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES • Multi–base for efficient energy distribution across the chip resulting in significantly improved switching and energy ratings across full temperature range. • Ion implant and high accuracy masking for tight control of characteristics from batch to batch. • Triple Guard Rings for impr | SEME-LAB |   | |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar NPN Device. VCEO = 160V IC = 10A | SEME-LAB | | ||
Bipolar Junction Transistors | TTELEC | |
BUL58A产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUL58A
- 制造商
SEME-LAB
- 制造商全称
Seme LAB
- 功能描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO220ABNONISOL |
8866 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
571 |
原装现货热卖 |
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STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3554 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO220 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ST |
11+ |
TO-220 |
28890 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
25+ |
30000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
||||
STM |
24+ |
N/A |
21322 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
BUL58A规格书下载地址
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2019-11-17
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