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BUL53BSMD

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

FEATURES • Multi-Base design for efficient energy distribution across the chip. • SIgnificantly improved switching and energy ratings across full temperature range. • Ion implant and high accuracy masking for tight control of characteristics from batch to batch. • Triple guard rings fo

SEME-LAB

BUL53BSMD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL53BSMD

  • 制造商

    SEME-LAB

  • 制造商全称

    Seme LAB

  • 功能描述

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更新时间:2026-5-16 8:01:00
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