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BUL39D晶体管资料

  • BUL39D别名：BUL39D三极管、BUL39D晶体管、BUL39D晶体三极管

  • BUL39D生产厂家：

  • BUL39D制作材料：Si-N+Di

  • BUL39D性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • BUL39D封装形式：直插封装

  • BUL39D极限工作电压：850V

  • BUL39D最大电流允许值：4A

  • BUL39D最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BUL39D引脚数：3

  • BUL39D最大耗散功率：70W

  • BUL39D放大倍数：

  • BUL39D图片代号：B-10

  • BUL39Dvtest：850

  • BUL39Dhtest：999900

  • BUL39Datest：4

  • BUL39Dwtest：70

  • BUL39D代换 BUL39D用什么型号代替：BUT11(A),BUT46,BUV46(A),2SC3047,

BUL39D价格

参考价格：￥1.4470

型号：BUL39D 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有BUL39D多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BUL39D批发/采购报价，BUL39D行情走势销售排行榜，BUL39D报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BUL39D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The BUL39D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology to enhance switching speeds while maintaining wide RBSOA. The BUL series is designed for use in electronics transformers for halogen lamps. ■ NPN TRANSISTOR ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ MINIMUM LOT-TO-LO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL39D

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector–Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 450V(Min.) • Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 1.0A • Very High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for use in lighting applications and low cost switchmode power supplies

ISC

无锡固电

BUL39D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

• Integrated antiparallel collector-emitter diode\n• Low spread of dynamic parameters\n• High voltage capability• Very high switching speed\n• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation;

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL39D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：199.02 Kbytes Page：6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL39D

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 450V 4A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL39D_01

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：199.02 Kbytes Page：6 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL39D产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    TO-220AB

  • Grade：

    Industrial

  • Transistor Polarity：

    NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)：

    450

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)：

    450

  • Collector-Base Voltage_max(V)：

    850

  • Collector Current_max(A)：

    4

  • Collector Current_abs_max(A)：

    4

  • Dc Current Gain_min：

    4

  • Test Condition for hFE (IC)：

    5

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：

    10

  • VCE(sat)_max(V)：

    1.1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC：

    2.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：

    500

BUL39D供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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