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BUK9MJT-55PRF,518

封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

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安世安世半导体(中国)有限公司

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BUK9MJT-55PRF,518产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK9MJT-55PRF,518

  • 功能描述

    MOSFET Dual N-CH TrenchPLUS logic level FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-9-23 15:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP
22+
20SO
9000
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NXP(恩智浦)
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