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N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critica

NEXPERIA

安世

N-channel TrenchMOS standard level FET

ETC

知名厂家

BUK7Y08-40B/C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK7Y08-40B/C

  • 功能描述

    MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-4 16:02:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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