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Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)

1. General description Dual, standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D package (half-bridge configuration), using Trench 9 TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101. An internal connection is made between the source (S1) of the highside FET to the dra

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安世安世半导体(中国)有限公司

更新时间:2025-9-25 23:01:01
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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