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BUK7E2R7-30B

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switchi

ISC

无锡固电

BUK7E2R7-30B

N-channel TrenchMOS standard level FET

NEXPERIA

安世

BUK7E2R7-30B

N-channel TrenchMOS standard level FET

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NEXPERIA

安世

BUK7E2R7-30B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK7E2R7-30B

  • 功能描述

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 11:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
23+
MSOP8
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NEXPERIA/安世
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