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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUK7575-55

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinautomotiveandgen

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BUK7575-55

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

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PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BUK7575-55A

TrenchMOSstandardlevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■175°Crated ■Standardlevelcompatible. Applications ■Automotiveandgeneral

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BUK7575-55A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BUK7575-55A

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

BUK7575-55,127产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK7575-55,127

  • 功能描述

    MOSFET BUK7575-55/SOT78/RAILH//

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

BUK7575-55,127供应商更多...

更新时间：2024-5-17 11:45:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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