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BUK6D125-60E

60 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o

NEXPERIA

安世

BUK6D125-60E

60 V, N-channel Trench MOSFET

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安世

更新时间:2025-11-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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DFN2020
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