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BUF644	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) :0.2V(Max) @IC=1.3A APPLICATIONS · Electronic lamp ballast circuits · Switch-mode power supplies	ISC 无锡固电	ISC
BUF644	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BUF644	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor 文件：92.27 Kbytes Page：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MRF644	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics — Output Power = 25 Watts Minimum Gain = 6.2 dB Efficie	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
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更新时间：2026-5-14 22:58:00

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2023-6-14
BUK761R4-30E,118产品参数描述
BUK761R4-30E,118
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BUK204-50Y-TOPFET高侧开关SMD版BUK200-50Y
特点 * 垂直功率DMOS开关 * 低电阻状态5 V逻辑兼容输入 * 带滞后的过热保护，自我复位 * 输出过载短路保护负载电流限制;锁存 - 输入复位 * 高电源电压负载保护 * 电源欠压锁定 * 启动过载保护状态指示 * 诊断开路负载状态指示 * 极低的静态电流 * 关闭电感性负载的电压钳位 * 所有引脚的ESD保护 * 反向电池和过压保护单片温度和过载保护的电源开关基于MOSFET技术在5引脚塑料表面贴装信封，作为一
2012-11-14