BU921ZP晶体管资料

  • BU921ZP别名:BU921ZP三极管、BU921ZP晶体管、BU921ZP晶体三极管

  • BU921ZP生产厂家

  • BU921ZP制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BU921ZP性质:开关管 (S)

  • BU921ZP封装形式:直插封装

  • BU921ZP极限工作电压:450V

  • BU921ZP最大电流允许值:10A

  • BU921ZP最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BU921ZP引脚数:3

  • BU921ZP最大耗散功率:105W

  • BU921ZP放大倍数

  • BU921ZP图片代号:B-70

  • BU921ZPvtest:450

  • BU921ZPhtest:999900

  • BU921ZPatest:10

  • BU921ZPwtest:105

  • BU921ZP代换 BU921ZP用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BU921ZP

NPNPOWERDARLINGTON

NPNPOWERDARLINGTON

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

NPNPOWERDARLINGTON

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

ADS921xDual,SimultaneousSampling,18-Bit,10-MSPSSARADCWithFullyDifferentialADCInputDriver

1Features •High-speed,10-MSPS/chsamplingrate –ADS9218:10MSPS/ch –ADS9217:5MSPS/ch •2-channel,simultaneoussampling •Featureintegration: –IntegratedADCdriver –Integratedprecisionreference –Common-modevoltageoutputbuffer •High-performance –18-bitnomissingcodes

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

LVPECLOutput

文件:141.14 Kbytes Page:2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT

HIGHSENSITIVITYCMOSHALL-EFFECTLATCH

文件:427.25 Kbytes Page:14 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

HIGHSENSITIVITYCMOSHALL-EFFECTLATCH

文件:629.58 Kbytes Page:14 Pages

BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited

新进半导体上海新进半导体制造有限公司

BCDSEMI

DualP-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:365.01 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

Analog Power

AnalogPower
更新时间:2024-4-24 18:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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