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BU920P晶体管资料

  • BU920P别名：BU920P三极管、BU920P晶体管、BU920P晶体三极管

  • BU920P生产厂家：

  • BU920P制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BU920P性质：功率放大 （L）

  • BU920P封装形式：直插封装

  • BU920P极限工作电压：400V

  • BU920P最大电流允许值：10A

  • BU920P最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BU920P引脚数：2

  • BU920P最大耗散功率：105W

  • BU920P放大倍数：β>30

  • BU920P图片代号：E-44

  • BU920Pvtest：400

  • BU920Phtest：999900

  • BU920Patest：10

  • BU920Pwtest：105

  • BU920P代换 BU920P用什么型号代替：BU930P,BU931P,BU932P,BU51P,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BU920P

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU920P

High Voltage

文件：209.62 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

BU920P

Trans Darlington NPN 350V 10A 3-Pin(3+Tab) SOT-93

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BU920PFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High Voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control.

ISC

无锡固电

BU920PFI

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU920PFI

Trans Darlington NPN 350V 10A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BU920

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU920T

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BLV920

UHF power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor intended for common emitter class-AB operation. The transistor is encapsulated in a 6-lead SOT171A flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve high power gain and ea

PHILIPS

飞利浦

VN920

SINGLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY

DESCRIPTION The VN920, VN920-B5, VN920SO is a monolithic device made by using STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground. Active VCC pin voltage clamp protects the device against low energy spikes (see ISO7637 transient comp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU920P产品属性

  • 类型

    描述

  • Number of Elements per Chip：

    1

  • Minimum Operating Temperature：

    -65°C

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current：

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    350V

  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage：

    2.2@50mA@5A2.5@140mA@7A

  • Configuration：

    Single

BU920P供应商更多...

更新时间：2026-5-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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深圳市安富世纪电子有限公司
BU921
ST
23+
TO-3
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BU920P规格书下载地址

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    1520B-101-501 DDD 3D7010S-60I DDD BU-61580S3-110K DDC BU-65170S6-110K DDC B-3226 DDC B-3226-T DDC BU-61580S3-110K DDC ?BU-61581S6-110K? DDC

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