| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BTD4512F3 | Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • High | CYSTEKEC 全宇昕科技 |   | |
BTD4512F3 | Bipolar Transistor | CYSTEKEC 全宇昕科技 | |
更新时间：2026-8-1 10:28:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
26+ |
CAN to-39 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST |
25+ |
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N/A |
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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ST |
23+ |
CAN to-39 |
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正规渠道,只有原装! |
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连接器 |
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MODULE |
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TE |
2026+ |
SMT |
300000 |
济德97T0-05378替代BTD1-08-03-1-B |
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ST/MOTO |
23+ |
CAN to-39 |
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23+ |
2176 |
BTD4512F3规格书下载地址
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