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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BTB1412J3 | Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.5 V (max), at IC / IB = -4A / -0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTD2118J3 • Pb-free package | CYSTEKEC 全宇昕科技 |   | |
BTB1412J3 | Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：246.09 Kbytes Page：7 Pages | CYSTEKEC 全宇昕科技 | | |
BTB1412J3 | Bipolar Transistor | CYSTEKEC 全宇昕科技 | | |
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor 文件：246.09 Kbytes Page：7 Pages | CYSTEKEC 全宇昕科技 | |
BTB1412J3产品属性
- 类型
描述
- 型号
BTB1412J3
- 制造商
CYSTEKEC
- 制造商全称
Cystech Electonics Corp.
- 功能描述
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
更新时间：2026-1-28 14:20:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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