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BTA1013K3

PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Low VCE(SAT), VCE(SAT)= -387mV (Typ.) @ IC/IB=-1A/-100mA • High breakdown voltage, BVCEO=-160V • Complementary to BTC2383K3 • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

Mou lded case for protection

文件:338.83 Kbytes Page:2 Pages

OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY

欧敏欧敏电阻制造公司

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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