型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

n-Channel Power MOSFET

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英飞凌

OptiMOSTM Power-MOSFET

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n-Channel Power MOSFET

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OptiMOSTM Power-MOSFET

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OptiMOSTM Power-MOSFET

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英飞凌

BSZ018NE2LSIXT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSZ018NE2LSIXT

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-12 14:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
2026+
QFN
16863
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
INFINEON/英飞凌
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只做原装,质量保证
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23+
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TSDSON-8
9600
原装现货,欢迎询价
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25+
TSDSON-8(3.3x3.3)
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
INFINEON/英飞凌
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PQFN3.3x3.3
20300
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23+
TSDSON-8
19850
原装正品,假一赔十
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2025+
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