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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BSZ018NE2LSIXT产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSZ018NE2LSIXT
- 功能描述
MOSFET OptiMOS Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-22 14:36:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
PG-TSDSON-8 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TSDSON-8 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
2118+ |
原厂封装 |
6800 |
公司现货全新原装假一罚十特价 |
|||
INFINEON |
23+ |
TSDSON8 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEO |
24+ |
TSDSON- |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
PQFN3.3x3.3 |
20300 |
INFINEON/英飞凌原装特价BSZ018NE2LSATMA1即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
18+ |
DFN |
90 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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BSZ018NE2LSIXT规格书下载地址
BSZ018NE2LSIXT参数引脚图相关
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- C80
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- c430p
- c3055
- c3000
- c2073
- c20001
- c2000
- c188
- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- BT09E
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- BT-0018
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- BSZ040N04LSG
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