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BSTD1046M晶体管资料

  • BSTD1046M别名:BSTD1046M三极管、BSTD1046M晶体管、BSTD1046M晶体三极管

  • BSTD1046M生产厂家

  • BSTD1046M制作材料:50HZ-Thy

  • BSTD1046M性质

  • BSTD1046M封装形式:直插封装

  • BSTD1046M极限工作电压:700V

  • BSTD1046M最大电流允许值:10A

  • BSTD1046M最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BSTD1046M引脚数:3

  • BSTD1046M最大耗散功率

  • BSTD1046M放大倍数

  • BSTD1046M图片代号:B-10

  • BSTD1046Mvtest:700

  • BSTD1046Mhtest:999900

  • BSTD1046Matest:10

  • BSTD1046Mwtest:0

  • BSTD1046M代换 BSTD1046M用什么型号代替:CS15-07,T9,5N700,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

UHF power LDMOS transistor

DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT467C) with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on underside el

PHILIPS

飞利浦

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (INDUSTRIAL USE, GENERAL PURPOSE)

INDUSTRIAL USE. GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Complementary to KTC2026.

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

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更新时间:2026-5-14 19:39:02
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