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BSS84-7价格

参考价格:¥0.1040

型号:BSS84-7 品牌:DIODES 备注:这里有BSS84-7多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSS84-7批发/采购报价,BSS84-7行情走势销售排行榜,BSS84-7报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BSS84-7

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capaci

DIODES

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 3) • Green Device (Note 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DIODES

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:289.1 Kbytes Page:6 Pages

DIODES

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:101.59 Kbytes Page:5 Pages

DIODES

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DIODES

美台半导体

-50V P-Channel MOSFET

JSMSEMI

杰盛微

TZB-TYB-TUB Series 10-Tap High Performance Passive Delays

文件:47.9 Kbytes Page:1 Pages

RHOMBUS-IND

BSS84-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSS84-7

  • 功能描述

    MOSFET -50V 250mW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-19 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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SOT-23
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