BSR13晶体管资料

  • BSR13别名:BSR13三极管、BSR13晶体管、BSR13晶体三极管

  • BSR13生产厂家:德国凡尔伏公司

  • BSR13制作材料:Si-NPN

  • BSR13性质:表面帖装型 (SMD)_射频/高频放大 (HF)_开关管

  • BSR13封装形式:贴片封装

  • BSR13极限工作电压:60V

  • BSR13最大电流允许值:0.8A

  • BSR13最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BSR13引脚数:3

  • BSR13最大耗散功率

  • BSR13放大倍数

  • BSR13图片代号:H-15

  • BSR13vtest:60

  • BSR13htest:999900

  • BSR13atest:0.8

  • BSR13wtest:0

  • BSR13代换 BSR13用什么型号代替:BSR14,BSS79,BSS81,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BSR13

NPN switching transistors

DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16. FEATURES • High current (max. 800 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Switching and linear applications.

Philips

飞利浦

BSR13

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

• Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled

Diotec

德欧泰克

BSR13

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier • Sourced from process 10.

Fairchild

仙童半导体

BSR13

NPN switching transistors

ETC

知名厂家

BSR13

NPN Switching Transistors

Features ● High current (max. 800 mA). ● Low voltage (max. 40 V).

KEXIN

科信电子

BSR13

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N–P–N silicon transistors SOT-23 Formed SMD Package

CDIL

BSR13

NPN switching transistors

FEATURES •High current (max. 800 mA) •Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS •Switching and linear applications. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR15 and BSR16.

NEXPERIA

安世

BSR13

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 30V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

BSR13

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

DEC

BSR13

NPN switching transistors

ETC

知名厂家

BSR13

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CDIL

CIT SWITCH

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CIT

BSR13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSR13

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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NA/
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