BSM50GD120DN2中文资料

功能描述:IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM

BSM50GD120DN2价格

参考价格:¥1753.4413

型号:BSM50GD120DN2 品牌:INFINEON 备注:这里有BSM50GD120DN2多少钱,2021年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSM50GD120DN2批发/采购报价,BSM50GD120DN2行情走势销售排行榜,BSM50GD120DN2报价。
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BSM50GD120DN2

IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

SIEMENS

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IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate)

SIEMENS

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更新时间:2021-5-11 23:51:00
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