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BSM200GAL120DN2

IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

IGBT Power Module • Single switch with chopper diode • Package with insulated metal base plate

SIEMENS

西门子

BSM200GAL120DN2

IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

Infineon

英飞凌

BSM200GAL120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM200GAL120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 200A GAL CH

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-11-20 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
200A,1200V
20000
全新原装假一赔十
infineon
24+
module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
EUPEC/欧派克
25+
原厂原封可拆样
54285
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
EUPEC
专业模块
MODULE
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模块原装主营-可开原型号增税票
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模块
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NEW
模块
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原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
EUPEC
22+
模块
8000
原装正品支持实单

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