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INFINEON

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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Infineon

INFINEON

EON

Eon Silicon Solution Inc.

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EON

INFINEON

ONON Semiconductor

安森美安森美半导体(上海)有限公司

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ON

BSM150GB170DN2_E3166C-SE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM150GB170DN2_E3166C-SE

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT 1700V 150A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-4-25 22:50:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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6500
全新原装假一赔十
Infineon Technologies
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模块原装主营-可开原型号增税票
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8000
原装正品支持实单
欧派克
08+
210

BSM150GB170DN2_E3166C-SE芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
  • Honeywell
  • MOLEX8
  • MPS
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