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BSM100GD120DN2价格
参考价格：￥1793.6245
型号：BSM100GD120DN2 品牌：INF 备注：这里有BSM100GD120DN2多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSM100GD120DN2批发/采购报价，BSM100GD120DN2行情走势销售排行榜，BSM100GD120DN2报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSM100GD120DN2 | IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) 文件：185.21 Kbytes Page：9 Pages | SIEMENS 西门子 |   | |
BSM100GD120DN2 | IGBT Chip in NPT-technology 文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
BSM100GD120DN2 | IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 1200V 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT Power Module 文件：303.62 Kbytes Page：10 Pages | eupec | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MOD 1200V 150A 680W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | |
BSM100GD120DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM100GD120DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 100A FL BRIDGE
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-ECONO3-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
18 |
||||
INF |
模块 |
1520 |
全新原装正品 数量多可订货 一级代理优势 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
15+ |
IGBT |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-ECONO3-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
SIEMENS |
25+ |
MODULE |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
450 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
INF |
24+ |
40 |
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2020-3-18BSM100GB120DN2K
深圳好佳好科技有限公司 电话：0755-82559658 QQ：1728142002
2019-10-17
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