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BSC160N15NS5

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

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Infineon

英飞凌

BSC160N15NS5

20V-300V N-Channel Power MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

Features • Dual-side cooled package with lowest junction-top thermal resistance • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS com

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V,采用 SuperSO8 DSC 封装,具有双面冷却功能,可增强热性能

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更新时间:2025-9-26 20:52:00
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