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BSC052N03LS	n-Channel Power MOSFET Features • Optimized for high performance Buck converter • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V • 100 avalanche tested • Superior thermal resistance • N-channel • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC052N03S	OptiMOS2 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior the	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC052N03SG	OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for notebook DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1 for target applications • Logic level / N-channel • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior therma	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC052N03LS	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：761.29 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSO052N03S	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：327.8 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

BSC052N03SZT供应商更多...

更新时间：2025-10-17 20:00:02

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BSC057N08NS3G
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2023-4-10
BSC047N08NS3G全新原装特价销售MOSFET
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2022-10-27
BSC060N10NS3G TDSON-8 N沟道大电流低内阻MOS场效应管原装正品
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2022-4-20
BSC047N08NS3G 封装PG-TDSON-8场效应管(MOSFET)
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2022-4-20
BSC040N10NS5晶体管原装现货
型号：BSC040N10NS5 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-
2019-12-7
BSC057N08NS3G多路器开关IC
BSC057N08NS3G 多路器开关 IC
2019-4-11