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BSC050N04LSG	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：391.86 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC050N04LSG	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：526.2 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
TF050N04M	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF050N04M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON) .This device is ideal for load switchand battery protection applications. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimiz	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF050N04N	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF050N04N uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlowgate charge. It can be used in a wide variety ofapplications. ● Features Advance device constructure Low RDS(ON) to minimize conduction loss Low Gate Charge for fast switching	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG

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更新时间：2025-10-17 15:28:01

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BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3G
2023-4-10
BSC047N08NS3G全新原装特价销售MOSFET
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2022-10-27
BSC060N10NS3G TDSON-8 N沟道大电流低内阻MOS场效应管原装正品
BSC060N10NS3G
2022-4-20
BSC047N08NS3G 封装PG-TDSON-8场效应管(MOSFET)
BSC047N08NS3G
2022-4-20
BSC040N10NS5晶体管原装现货
型号：BSC040N10NS5 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-
2019-12-7
BSC057N08NS3G多路器开关IC
BSC057N08NS3G 多路器开关 IC
2019-4-11