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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BSC047N08NS3	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC047N08NS3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC047N08NS3G-TP	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features + Advanced trench cell design + Low Thermal Resistance * Low Gate Charge	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSC047N08NS3G	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：327.01 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

BSC047N08NS3GS供应商更多...

更新时间：2025-10-16 22:59:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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BSC040N10NS5
进口代理
2024-4-24
BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3G
2023-4-10
BSC047N08NS3G全新原装特价销售MOSFET
BSC047N08NS3G全新原装特价销售MOSFET
2022-10-27
BSC047N08NS3G 封装PG-TDSON-8场效应管(MOSFET)
BSC047N08NS3G
2022-4-20
BSC040N10NS5晶体管原装现货
型号：BSC040N10NS5 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-
2019-12-7
BSC057N08NS3G多路器开关IC
BSC057N08NS3G 多路器开关 IC
2019-4-11