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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSC037N08NS5-TP | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features + Advanced trench cell design + Low Thermal Resistance * Low Gate Charge | TECHPUBLIC 台舟电子 |   | |
Superior thermal resistance Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V 文件：1.040829 Mbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon |
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NA |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON/英飞凌 |
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2020-10-9BSC040N10NS5晶体管原装现货
型号：BSC040N10NS5 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-
2019-12-7
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