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BSC016N06NSSC	OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V Features • Double side cooled package-with lowest Juntion-top thermal resistance • 175°C rated • Optimized for synchronous rectification • 100 avalanche tested • Superior thermal resistance • N-channel • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • High	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC016N06NSSC	OptiMOS ™ 5 60 V 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 DSC 封装，具有双面冷却功能，可增强热性能	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC016N06NS	New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC016N06NS	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：610.8 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC016N06NST	OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V 文件：1.41665 Mbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
NTMFD016N06C	MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 m, 32 A 文件：225.64 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-9-17 23:01:00

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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
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2023-7-3
BSC016N03LSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-26
BSC010N04LSI百分百原装进口现货
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2021-1-7
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
BSC016N04LSG
BSC016N04LSG 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7