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BLW86晶体管资料
BLW86别名：BLW86三极管、BLW86晶体管、BLW86晶体三极管
BLW86生产厂家：
BLW86制作材料：Si-NPN
BLW86性质：甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
BLW86封装形式：贴片封装
BLW86极限工作电压：65V
BLW86最大电流允许值：4A
BLW86最大工作频率：175MHZ
BLW86引脚数：4
BLW86最大耗散功率：45W
BLW86放大倍数：
BLW86图片代号：G-266
BLW86vtest：65
BLW86htest：175000000000
- BLW86atest：4
BLW86wtest：45
BLW86代换 BLW86用什么型号代替：MRF315,
BLW86价格
参考价格：￥252.8253
型号：BLW86 品牌：ASI 备注：这里有BLW86多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BLW86批发/采购报价，BLW86行情走势销售排行榜，BLW86报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BLW86 | HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Matched hFE groups are a | Philips 飞利浦 |   | |
BLW86 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW86 is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 7.0 dB at 40 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System | ASI | | |
BLW86 | HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Matched hFE groups are a | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BLW86 | HF/VHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated HF and VHF transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Features: It has a 3/8 | ELEFLOW | | |
BLW86 | Trans GP BJT NPN 36V 4A 4-Pin SOT-123A | ETC 知名厂家 | ETC | |
BLW86产品属性
- 类型
描述
- 型号
BLW86
- 功能描述
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS
否
- 制造商
M/A-COM Technology Solutions
- 配置
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min
40
- 最大工作频率
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
4 V
- 集电极连续电流
20 A
- 功率耗散
250 W
- 封装/箱体
Case 211-11
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BLW86芯片相关品牌
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BLW86参数引脚图相关
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2022-6-22BM2LB150FJ-CE2 SOP-J8 ROHM/罗姆 电源开关 IC 原装正品现货
BM2LB150FJ-CE2 SOP-J8 ROHM/罗姆 电源开关 IC 原装正品现货
2022-4-22BM2596-ADJ
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2020-9-30
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