BLV31晶体管资料

  • BLV31别名:BLV31三极管、BLV31晶体管、BLV31晶体三极管

  • BLV31生产厂家

  • BLV31制作材料:Si-NPN

  • BLV31性质:甚高频 (VHF)_TR_输出极 (E)

  • BLV31封装形式:贴片封装

  • BLV31极限工作电压:60V

  • BLV31最大电流允许值:3A

  • BLV31最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BLV31引脚数:4

  • BLV31最大耗散功率:5W

  • BLV31放大倍数

  • BLV31图片代号:G-56

  • BLV31vtest:60

  • BLV31htest:999900

  • BLV31atest:3

  • BLV31wtest:5.0001

  • BLV31代换 BLV31用什么型号代替:BLW75,

BLV31价格

参考价格:¥281.9975

型号:BLV31 品牌:ASI 备注:这里有BLV31多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BLV31批发/采购报价,BLV31行情走势销售排行榜,BLV31报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BLV31

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI BLV31 is Designed for use in VHF amplifiers FEATURES: • PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz • Omnigold™ Metallization System

ASI

BLV31

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI BLV31 is Designed for use in VHF amplifiers FEATURES: • PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz • Omnigold™ Metallization System

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BLV31

Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147

ETC

知名厂家

BLV31产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLV31

  • 功能描述

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作频率

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    4 V

  • 集电极连续电流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封装/箱体

    Case 211-11

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-24 23:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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