BLV30晶体管资料

  • BLV30别名:BLV30三极管、BLV30晶体管、BLV30晶体三极管

  • BLV30生产厂家

  • BLV30制作材料:Si-NPN

  • BLV30性质:甚高频 (VHF)_TR_输出极 (E)

  • BLV30封装形式:贴片封装

  • BLV30极限工作电压:60V

  • BLV30最大电流允许值:1.5A

  • BLV30最大工作频率:224MHZ

  • BLV30引脚数:4

  • BLV30最大耗散功率:1.5W

  • BLV30放大倍数

  • BLV30图片代号:G-56

  • BLV30vtest:60

  • BLV30htest:224000000

  • BLV30atest:1.5

  • BLV30wtest:1.5

  • BLV30代换 BLV30用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI BLV30 is Designed for Television Band IV & V Applications up to 860 MHz. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 2.0 W/860 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: BLV30 is Designed for Television Band IV & V Applications up to 860Mhz FEATURES Common Emitter PG = 10dBat 2.0W/860Mhz Omnigold Metalization System

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BLV30

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:37.91 Kbytes Page:1 Pages

ASI

BLV30

Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147

ETC

知名厂家

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI

BLV30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLV30

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-12-24 23:51:00
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