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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BLS7

Axial Lead and Cartridge Fuses- Special Midget

Midget Fuses Supplementary Overcurrent Protection

Littelfuse

力特

BLS7

Axial Lead and Cartridge Fuses

文件：122.34 Kbytes Page：1 Pages

Littelfuse

力特

BLS73135L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  High flexibility with respect to pulse formats  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent th

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS73135LS-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  High flexibility with respect to pulse formats  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent th

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2325L-105

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G2325L-105

Power LDMOS transistor

General description 105 W LDMOS power transistor for S-band radar applications at frequencies from 2300 MHz to 2500 MHz. Features and benefits  Excellent ruggedness  High efficiency  Low Rth providing excellent thermal stability  Internally matched for ease of use  Integrated ESD prot

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2729L(S)-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G2729L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

ETC

知名厂家

BLS7G2729L-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G2729L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz. Features and benefits  High efficiency  Excellent ruggedness  Designed for S-band operation (2.7 GHz to 2.9 GHz)  Excellent thermal stability  Easy power cont

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2729LS-350P

LDMOS S-band radar power transistor

ETC

知名厂家

BLS7G2729LS-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G2729LS-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz. Features and benefits  High efficiency  Excellent ruggedness  Designed for S-band operation (2.7 GHz to 2.9 GHz)  Excellent thermal stability  Easy power cont

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2933S-150

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G3135L(S)-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G3135L-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G3135L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  High flexibility with respect to pulse formats  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent th

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G3135LS-200

LDMOS S-band radar power transistor

General description 200 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 3100 MHz to 3500 MHz. Features and benefits  High efficiency  Excellent ruggedness  Designed for broadband operation  Excellent thermal stability  Easy power control  Integrate

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G3135LS-350P

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BLS7G3135LS-350P

LDMOS S-band radar power transistor

General description 350 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  High flexibility with respect to pulse formats  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent th

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2325L-105_15

Power LDMOS transistor

文件：301.86 Kbytes Page：9 Pages

Philips

飞利浦

BLS7G2729L-350P_15

LDMOS S-band radar power transistor

文件：172.49 Kbytes Page：13 Pages

Philips

飞利浦

BLS7G2730L-200P_15

LDMOS S-band radar power transistor

文件：334.67 Kbytes Page：15 Pages

Philips

飞利浦

BLS7G2730L-200PU

封装/外壳：SOT-539A 包装：托盘 描述：RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2730LS-200PU

封装/外壳：SOT-539B 包装：托盘 描述：RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

BLS7G2933S-150_15

LDMOS S-band radar power transistor

文件：129.3 Kbytes Page：12 Pages

Philips

飞利浦

BLS7G3135L-350P_15

BLS7G3135L-350P_15

文件：188.58 Kbytes Page：13 Pages

Philips

飞利浦

BLS7G3135LS-200_15

LDMOS S-band radar power transistor

文件：138.91 Kbytes Page：10 Pages

Philips

飞利浦

BLS7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BLS7

  • 制造商

    LITTELFUSE

  • 制造商全称

    Littelfuse

  • 功能描述

    Axial Lead and Cartridge Fuses- Special Midget

BLS7供应商更多...

更新时间：2025-8-17 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
艾睿（深圳）半导体有限公司
BLS7G3135LS-200
恩XP
2447
20
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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深圳市创新迹电子有限公司
BLS7G3135LS-350P
恩XP
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7300
专注配单,只做原装进口现货
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千层芯半导体(深圳)有限公司
BLS7G2729L-350P
恩XP
24+
SMD
1680
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十
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深圳市威雅利发展有限公司
BLS7G2731LS-220P
恩XP
12+;1240+
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BLS7G3135LS-200
恩XP
2023+
SOT539B
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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深圳诚思涵科技有限公司
BLS7G3135LS-350P
AMP
24+
SMD
6618
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深圳市金华微盛电子有限公司
BLS7G2730LS-200P
恩XP
19+
SMD
15868
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深圳市安富世纪电子有限公司
BLS7G3135LS-200
恩XP
23+
SOT539B
50000
全新原装正品现货,支持订货
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
BLS7G2730LS-200P
恩XP
23+
SMD
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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现代芯城（深圳）科技有限公司
BLS7G2325L-105,112
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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