位置：首页 > IC中文资料第3604页 > BLS6G2731S-120
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BLS6G2731S-120 | LDMOS S-band radar power transistor | ETC 知名厂家 | ETC |   |
BLS6G2731S-120 | RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC | |
BLS6G2731S-120 | LDMOS S-band radar power transistor General description 120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz range. Features Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 s with of 10 : Output power = 120 W Powe | AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆 | | |
封装/外壳：SOT-502B 包装：托盘 描述：RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆 | |
BLS6G2731S-120产品属性
- 类型
描述
- 型号
BLS6G2731S-120
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
12+ |
射频管 |
52 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
25+ |
NA |
40 |
原装正品,假一罚十! |
|||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3252 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
恩XP |
24+ |
SMD |
1680 |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
CDFM2 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
恩XP |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
恩XP |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
恩XP |
23+ |
SMD |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
恩XP |
23+ |
SMD |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
BLS6G2731S-120芯片相关品牌
BLS6G2731S-120规格书下载地址
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- c1000
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2019-9-23
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